TradingKey - 美東時間9月17日，在聯儲局宣佈加息的次日，美光（MU）強勢上升逾5%，股價重返980美元。

美光科技首席執行官桑傑·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，該公司位於印度古吉拉特邦薩南德的半導體封裝與測試工廠已開始商業化生產，以滿足人工智能(AI)推動的存儲芯片需求增長。

薩南德工廠將來自美光科技全球製造網絡的先進DRAM和NAND晶圓加工成成品內存和存儲產品。美光科技在一份聲明中表示，該工廠預計將在2026年將封裝和測試數千萬顆芯片，並在2027年將產能提升至數億顆。

花旗的最新研報中指出，隨着AI從單純的訓練與推理階段邁入"持續學習"時代，HBM、服務器DDR5及企業級固態硬盤（eSSD）的需求將從2027年起同步爆發性增長。

在需求急速攀升的同時，供給端受制於HBM產能佔用和技術遷移放緩，擴產步伐遠落後於需求。花旗據此預計，2027年全球內存資本支出將按年大增46.5%至804億美元，但受制於產能建設的漫長交期，即便大規模投資也難以填補供需缺口。

同時花旗預測2027年全球內存資本支出（DRAM+NAND）將按年大增46.5%至804億美元，較2026年的549億美元顯著加速。DRAM資本支出預計按年增長51.6%至586億美元，由三星電子（206億美元）、SK海力士（175億美元）和美光（158億美元）領銜。但花旗強調，增量DRAM投資中相當大比例仍將流向HBM產能和先進DRAM製程，對通用DRAM供給的實際緩解效果有限。

花旗指出，儘管資本支出規模大幅躍升，但鑑於綠地投資產能擴建的漫長交期，更高的支出水平不足以彌合2027年的供需缺口。以此為基礎，花旗對全球內存供需失衡局面的判斷延伸至2031年，並認為持續學習與個人AI/實體AI的規模化落地將成為這一超長期結構性供給短缺的核心支撐。

美光兩小時K線圖，來源：TradingView

美光股價自階段低點（737.88美元）附近止跌後震盪修復，9月初一度上探至1,040美元附近，隨後回落到940—955美元均線密集區。最新價格突破短、中、長期均線：5日均線（944.38美元）、10日均線（940.57美元）、20日均線（947.79美元）、80日均線（954.83美元）、160日均線（951.71美元）。

現價同時位於0.382斐波那契回撤位（935.35美元）上方，但仍低於0.5斐波那契回撤位（996.35美元）。短線屬於急跌後的強勢反抽，尚未確認重新打開1,057.35美元上方空間。

均線方面，五條均線高度收斂在940.57—954.83美元，屬於壓縮後的方向選擇區，而不是已經打開的多頭髮散。最新股價雖然重新站上全部均線，但5日均線和10日均線仍低於80日均線與160日均線，說明短線買盤啱啱奪回均線密集區，趨勢強度仍需關鍵位置確認。

當前最關鍵的上方確認位是0.5斐波那契回撤位（996.35美元）。該位置在9月初被上破後得而復失，已經由支撐轉為壓力。若後續2小時K線能夠連續收於996.35美元上方，並在回踩時守住，反彈纔有條件重新指向0.618斐波那契回撤位（1,057.35美元）。

支撐方面，80日均線（954.83美元）與0.382斐波那契回撤位（935.35美元）構成的共振區是當前的重點觀察區間。只要該區域能夠守住，本次回落更適合定義為強勢整理後的再啓動嘗試；若935.35美元失守，則短線反抽失敗的概率上升。

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