中國存儲全面追擊！韓國半導體產業協會：DRAM差2年、NAND只差1年
據快科技，韓國半導體產業協會首次量化了中國存儲芯片與韓國的技術差距：NAND閃存僅落後1年，DRAM落後2年，HBM落後3年，此前這一差距長期維持在5年左右。
NAND方面，三星和SK海力士2025年開始量產300層NAND，長江存儲同期量產270層，到2027年，長江存儲將躍升至400層，與三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。
DRAM方面，三星和SK海力士2023年開始量產DDR5，長鑫存儲 2025年纔跟上，差距約2年，但長鑫存儲已經在量產LPDDR5X，並啓動了LPDDR6的生產。
HBM是差距最大的領域，目前落後約3年，長鑫存儲剛啓動HBM3E模塊的試產，良率僅約25%，在TSV硅通孔工藝上仍面臨挑戰。
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