【封装满足不了美国，SK海力士考虑把内存制造也搬过去】SK海力士在美国的投资，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。 路透社9月16日援引三名知情人士称，SK海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案，是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更大胆的方案，则是SK海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品也没有确定。SK海力士随后强调，目前尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国内存生产计划。 今年8月，SK海力士刚刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超过40亿美元，计划2029年下半年量产下一代HBM。这个项目被包装为首个“美国制造”HBM基地，但核心DRAM晶圆实际上仍然在韩国生产，再运到美国完成先进封装和测试。换句话说，美国拿到的是HBM产业链非常重要的一环，却还没有拿到SK海力士最核心的前道晶圆制造。 现在讨论俄亥俄项目，性质就不同了。 如果SK海力士真的把DRAM晶圆制造搬到美国，美国半导体本土化就将从“把最后几道关键工序放在美国”，进一步变成“把核心芯片本身也在美国制造”。