IT之家 7 月 30 日消息，Qualcomm（高通）高管在企业 FY2026Q3 财报电话会议上表示，其 ASIC 芯片定制业务从两家全球超大规模企业获得的两个项目已启动晶圆生产，预计将从 2026 年 12 月季度开始创造收入。

此外，高通的初代 HBC（高带宽计算）架构芯片已完成流片，为 2027 年中的推出打下坚实基础。HBC 堆栈底部是近内存加速器单元，其上则以 TSV（硅通孔）技术堆叠 LPDDR DRAM Die。

对于芯片涨价，高通总裁兼首席执行官 Cristiano Amon（克里斯蒂亚诺 · 安蒙）表示“即使是两位数的价格上涨，这只是输入成本上涨和晶圆价格上涨的转嫁”，“当你将其与内存物料清单的量级相比时，实际上是很小的”。

克里斯蒂亚诺 · 安蒙提到，高通已看到半导体全供应链正以 100% 产能供应链运行，晶圆、组装、测试、测试设备等各个环节都出现了短缺和涨价，而高通持有的丰富库存和跨节点产能额度是一种利好。

另外，高通将在 2026 年 9 月量产第五代骁龙数字底盘。该企业预计非手机领域业务的增长将覆盖苹果的需求下降。