7月14日,Tower半导体盘前飙升逾18%,该公司今日宣布,将并行双轨战略性地扩展其300毫米硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)和先进封装能力。日本在以下机构的支持下:日本政府此次扩建旨在满足快速增长的长期客户需求,大幅提升公司的生产能力,并巩固其技术领先地位。
7月14日,Tower半导体盘前飙升逾18%,该公司今日宣布,将并行双轨战略性地扩展其300毫米硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)和先进封装能力。日本在以下机构的支持下:日本政府此次扩建旨在满足快速增长的长期客户需求,大幅提升公司的生产能力,并巩固其技术领先地位。
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